casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON4807
codice articolo del costruttore | AON4807 |
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Numero di parte futuro | FT-AON4807 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON4807 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.9W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (3x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON4807 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON4807-FT |
AUIRFN8459TR
Infineon Technologies
BSZ215CHXTMA1
Infineon Technologies
BSZ0909NDXTMA1
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A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
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EP4CE30F23A7N
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5SGXMA9N1F45C2LN
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XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
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EP20K60EQC208-2XN
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