casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSC0921NDIATMA1
codice articolo del costruttore | BSC0921NDIATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC0921NDIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC0921NDIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A, 31A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TISON-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0921NDIATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC0921NDIATMA1-FT |
IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
IRF7311PBF
Infineon Technologies
IRF7311TR
Infineon Technologies
IRF7311TRPBF
Infineon Technologies
IRF7313PBF
Infineon Technologies
IRF7313QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7314PBF
Infineon Technologies
IRF7314QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7314TRPBF
Infineon Technologies
IRF7316GTRPBF
Infineon Technologies
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel