casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSC0921NDIATMA1
codice articolo del costruttore | BSC0921NDIATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC0921NDIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC0921NDIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A, 31A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TISON-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0921NDIATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC0921NDIATMA1-FT |
IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
IRF7311PBF
Infineon Technologies
IRF7311TR
Infineon Technologies
IRF7311TRPBF
Infineon Technologies
IRF7313PBF
Infineon Technologies
IRF7313QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7314PBF
Infineon Technologies
IRF7314QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7314TRPBF
Infineon Technologies
IRF7316GTRPBF
Infineon Technologies
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel