casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AUIRFN8459TR
codice articolo del costruttore | AUIRFN8459TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFN8459TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFN8459TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
Potenza - Max | 50W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFN8459TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFN8459TR-FT |
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