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Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1

Name: BSZ0910NDXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0910NDXTMA1
Price: 0.435272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (672 reviews)

Numero parte MFG: BSZ0910NDXTMA1

quantità disponibile: 61660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.435272

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ DIFFERENTIATED MOSFETS

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSZ0910NDXTMA1.pdf

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BSZ0910NDXTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSZ0910NDXTMA1
Numero di parte futuro	FT-BSZ0910NDXTMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSZ0910NDXTMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 15V
Potenza - Max	1.9W (Ta), 31W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-WISON-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ0910NDXTMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSZ0910NDXTMA1-FT

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