casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSC0924NDIATMA1
codice articolo del costruttore | BSC0924NDIATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC0924NDIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC0924NDIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A, 32A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TISON-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0924NDIATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC0924NDIATMA1-FT |
IRF7311TR
Infineon Technologies
IRF7311TRPBF
Infineon Technologies
IRF7313PBF
Infineon Technologies
IRF7313QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7314PBF
Infineon Technologies
IRF7314QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7314TRPBF
Infineon Technologies
IRF7316GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7316PBF
Infineon Technologies
IRF7316QTRPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel