casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSZ215CHXTMA1
codice articolo del costruttore | BSZ215CHXTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ215CHXTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
BSZ215CHXTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ215CHXTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ215CHXTMA1-FT |
IRF7306PBF
Infineon Technologies
IRF7306QTRPBF
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IRF7307PBF
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XC2S15-5TQG144I
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XC4005XL-1PQ100C
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M1A3PE1500-FG484
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10AX090R4F40E3SG
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