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Infineon Technologies BSC0911NDATMA1

Numero parte MFG
BSC0911NDATMA1
quantità disponibile
92820 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.643504
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSC0911NDATMA1
Numero di parte futuro FT-BSC0911NDATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSC0911NDATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V
Potenza - Max 1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TISON-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC0911NDATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSC0911NDATMA1-FT

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