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Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1

Name: BSC0923NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0923NDIATMA1
Price: 0.403792 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (58 reviews)

Numero parte MFG: BSC0923NDIATMA1

quantità disponibile: 59230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.403792

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSC0923NDIATMA1.pdf

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BSC0923NDIATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSC0923NDIATMA1
Numero di parte futuro	FT-BSC0923NDIATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC0923NDIATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A, 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 15V
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TISON-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC0923NDIATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSC0923NDIATMA1-FT

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