casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK6Q60W,S1VQ
codice articolo del costruttore | TK6Q60W,S1VQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK6Q60W,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK6Q60W,S1VQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 310µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK6Q60W,S1VQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK6Q60W,S1VQ-FT |
TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W5,S1VX
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TK17E65W,S1X
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TK20E60W,S1VX
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TK25E60X,S1X
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TK25E60X5,S1X
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TK31E60W,S1VX
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TK31E60X,S1X
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TK35E08N1,S1X
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XCV200-5FG256I
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