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Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W,S1VQ
- Numero parte MFG
- TK6Q60W,S1VQ
- quantità disponibile
- 36740 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.170024
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- DTMOSIV MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TK6Q60W,S1VQ.pdf
TK6Q60W,S1VQ specificazioni
| codice articolo del costruttore | TK6Q60W,S1VQ |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TK6Q60W,S1VQ |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | DTMOSIV |
| TK6Q60W,S1VQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 310µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 300V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK6Q60W,S1VQ Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TK6Q60W,S1VQ-FT |
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