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Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X,S1X

Name: TK25E60X,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK25E60X,S1X
Price: 3.224 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (753 reviews)

Numero parte MFG: TK25E60X,S1X

quantità disponibile: 61940 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.224

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: DTMOSIV-H MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK25E60X,S1X.pdf

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TK25E60X,S1X specificazioni

codice articolo del costruttore	TK25E60X,S1X
Numero di parte futuro	FT-TK25E60X,S1X
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV-H
TK25E60X,S1X Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 300V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK25E60X,S1X Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK25E60X,S1X-FT

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