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Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X

Numero parte MFG
TK17E65W,S1X
quantità disponibile
45760 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TK17E65W,S1X specificazioni

codice articolo del costruttore TK17E65W,S1X
Numero di parte futuro FT-TK17E65W,S1X
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK17E65W,S1X Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 300V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK17E65W,S1X Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK17E65W,S1X-FT

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