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Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W,S1VX

Name: TK12E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E60W,S1VX
Price: 1.98 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (20 reviews)

Numero parte MFG: TK12E60W,S1VX

quantità disponibile: 49730 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.98

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: DTMOSIV MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK12E60W,S1VX.pdf

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TK12E60W,S1VX specificazioni

codice articolo del costruttore	TK12E60W,S1VX
Numero di parte futuro	FT-TK12E60W,S1VX
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV
TK12E60W,S1VX Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12E60W,S1VX Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK12E60W,S1VX-FT

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