casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK31E60W,S1VX
codice articolo del costruttore | TK31E60W,S1VX |
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Numero di parte futuro | FT-TK31E60W,S1VX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK31E60W,S1VX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK31E60W,S1VX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK31E60W,S1VX-FT |
SQM40016EM_GE3
Vishay Siliconix
SQM40022EM_GE3
Vishay Siliconix
SQM50028EM_GE3
Vishay Siliconix
3N163
Vishay Siliconix
3N163-2
Vishay Siliconix
3N163-E3
Vishay Siliconix
3N164
Vishay Siliconix
VS-FB190SA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC420SA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC270SA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel