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Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5,S1X
- Numero parte MFG
- TK25E60X5,S1X
- quantità disponibile
- 48170 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 2.7
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- DTMOSIV-H MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TK25E60X5,S1X.pdf
TK25E60X5,S1X specificazioni
| codice articolo del costruttore | TK25E60X5,S1X |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TK25E60X5,S1X |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | DTMOSIV-H |
| TK25E60X5,S1X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 300V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK25E60X5,S1X Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TK25E60X5,S1X-FT |
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