casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK31E60X,S1X
codice articolo del costruttore | TK31E60X,S1X |
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Numero di parte futuro | FT-TK31E60X,S1X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV-H |
TK31E60X,S1X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 9.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK31E60X,S1X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK31E60X,S1X-FT |
SQM40022EM_GE3
Vishay Siliconix
SQM50028EM_GE3
Vishay Siliconix
3N163
Vishay Siliconix
3N163-2
Vishay Siliconix
3N163-E3
Vishay Siliconix
3N164
Vishay Siliconix
VS-FB190SA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC420SA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC270SA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC420SA15
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel