casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVMUN5211DW1T2G

| codice articolo del costruttore | NSVMUN5211DW1T2G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NSVMUN5211DW1T2G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NSVMUN5211DW1T2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 385mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVMUN5211DW1T2G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NSVMUN5211DW1T2G-FT |

NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor

NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1
ON Semiconductor

XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.

EP3SL50F484I4N
Intel

5SGXEA3K3F40C2LN
Intel

10M50DAF672C6G
Intel

10AX048H2F34I2LG
Intel

10AX027H3F35E2LG
Intel

XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.

A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation

LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX110DF29C3
Intel