casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVEMC2DXV5T1G
codice articolo del costruttore | NSVEMC2DXV5T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVEMC2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVEMC2DXV5T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVEMC2DXV5T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVEMC2DXV5T1G-FT |
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
EP1K50FI256-2
Intel
EP4SGX360FH29C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XC7A200T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel