casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMC2DXV5T1

| codice articolo del costruttore | EMC2DXV5T1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-EMC2DXV5T1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| EMC2DXV5T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-553 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EMC2DXV5T1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | EMC2DXV5T1-FT |

NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation

AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation

M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation

EP1S20F484C6
Intel

A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation

XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.

A54SX08A-2FGG144
Microsemi Corporation

AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation

10AX090N4F45I3SG
Intel

EP1S30F1020C7
Intel