casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMG2DXV5T1
codice articolo del costruttore | EMG2DXV5T1 |
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Numero di parte futuro | FT-EMG2DXV5T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMG2DXV5T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG2DXV5T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMG2DXV5T1-FT |
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
EP3C40F324C8N
Intel
EP3C40F324C8
Intel