casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMA6DXV5T5G
codice articolo del costruttore | EMA6DXV5T5G |
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Numero di parte futuro | FT-EMA6DXV5T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA6DXV5T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA6DXV5T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMA6DXV5T5G-FT |
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
EPF6010ATC144-1
Intel
LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel