casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMC2DXV5T1G
codice articolo del costruttore | EMC2DXV5T1G |
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Numero di parte futuro | FT-EMC2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMC2DXV5T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMC2DXV5T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMC2DXV5T1G-FT |
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-CB132
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N1F40C2LN
Intel
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG676CES9937
Xilinx Inc.
APA075-TQ100I
Microsemi Corporation