casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMG2DXV5T5G
codice articolo del costruttore | EMG2DXV5T5G |
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Numero di parte futuro | FT-EMG2DXV5T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMG2DXV5T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-553 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-553 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG2DXV5T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMG2DXV5T5G-FT |
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
LCMXO2-640UHC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1BGG272M
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQ208
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LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ATC100-3N
Intel
EP20K60EFC144-3
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5SGXMA9N3F45C2N
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1SG
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