casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IXGN200N60B3
codice articolo del costruttore | IXGN200N60B3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXGN200N60B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™ |
IXGN200N60B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 830W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGN200N60B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGN200N60B3-FT |
APT100GT120JRDQ4
Microsemi Corporation
APT50GF120JRDQ3
Microsemi Corporation
APT100GT60JRDQ4
Microsemi Corporation
APT100GT60JR
Microsemi Corporation
APT150GN60J
Microsemi Corporation
APT150GN120J
Microsemi Corporation
APT80GP60J
Microsemi Corporation
APT45GP120J
Microsemi Corporation
APT35GP120J
Microsemi Corporation
APT75GT120JU2
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel