casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT100GT120JRDQ4
codice articolo del costruttore | APT100GT120JRDQ4 |
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Numero di parte futuro | FT-APT100GT120JRDQ4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT100GT120JRDQ4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 123A |
Potenza - Max | 570W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.85nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GT120JRDQ4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT100GT120JRDQ4-FT |
APTGT200DA60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel