casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT80GP60J
codice articolo del costruttore | APT80GP60J |
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Numero di parte futuro | FT-APT80GP60J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT80GP60J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 151A |
Potenza - Max | 462W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 80A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.84nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT80GP60J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT80GP60J-FT |
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU120G
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APTGT150DA60T1G
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APTGT150DA120G
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APTGT150A60T1G
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APTGT150A120T3AG
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APTGT100TL60T3G
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APTGT100H60T3G
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APTGT100DU60TG
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APTGT100DU170TG
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