casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT50GF120JRDQ3
codice articolo del costruttore | APT50GF120JRDQ3 |
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Numero di parte futuro | FT-APT50GF120JRDQ3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT50GF120JRDQ3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Potenza - Max | 521W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 750µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.32nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GF120JRDQ3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT50GF120JRDQ3-FT |
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
5SGXEA5N3F45I4N
Intel
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3SG
Intel
EP20K200EBC652-2
Intel
EP2AGZ350FF35I3
Intel
EP4SGX70HF35I4N
Intel