casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT150GN120J
codice articolo del costruttore | APT150GN120J |
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Numero di parte futuro | FT-APT150GN120J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT150GN120J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 215A |
Potenza - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT150GN120J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT150GN120J-FT |
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
5SEEBF45I2L
Intel
5SGXEA7K3F35C2L
Intel
EP1S40F1020C7
Intel