casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT35GP120J
codice articolo del costruttore | APT35GP120J |
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Numero di parte futuro | FT-APT35GP120J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT35GP120J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 64A |
Potenza - Max | 284W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GP120J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT35GP120J-FT |
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation
EP20K160ETC144-2
Intel
XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K1F40C1N
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C7
Intel