casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT35GP120J
codice articolo del costruttore | APT35GP120J |
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Numero di parte futuro | FT-APT35GP120J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT35GP120J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 64A |
Potenza - Max | 284W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GP120J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT35GP120J-FT |
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel