casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT100GT60JRDQ4
codice articolo del costruttore | APT100GT60JRDQ4 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT100GT60JRDQ4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT100GT60JRDQ4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 148A |
Potenza - Max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.15nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT100GT60JRDQ4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT100GT60JRDQ4-FT |
APTGT200A602G
Microsemi Corporation
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
APTGT150TL60G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150A120T3AG
Microsemi Corporation