casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI9630GPBF
codice articolo del costruttore | IRFI9630GPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFI9630GPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI9630GPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI9630GPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI9630GPBF-FT |
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
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