casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TJ60S06M3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TJ60S06M3L(T6L1,NQ |
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Numero di parte futuro | FT-TJ60S06M3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +10V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7760pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TJ60S06M3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8103VTRR
Infineon Technologies
IRLR8103VTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR8113
Infineon Technologies
IRLR8113PBF
Infineon Technologies
IRLR8113TR
Infineon Technologies
IRLR8113TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR8256PBF
Infineon Technologies
IRLR8259PBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel