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Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Numero parte MFG
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
quantità disponibile
90900 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.3696
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVI MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVI
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Vgs (massimo) +10V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 27W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK+
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-FT

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