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Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L(T6L1,NQ
- Numero parte MFG
- TJ50S06M3L(T6L1,NQ
- quantità disponibile
- 34930 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.6384
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- U-MOSVI MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TJ50S06M3L(T6L1,NQ.pdf
TJ50S06M3L(T6L1,NQ specificazioni
| codice articolo del costruttore | TJ50S06M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TJ50S06M3L(T6L1,NQ |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVI |
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +10V, -20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6290pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TJ50S06M3L(T6L1,NQ-FT |
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