casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TJ80S04M3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +10V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7770pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TJ80S04M3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8103VTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR8113
Infineon Technologies
IRLR8113PBF
Infineon Technologies
IRLR8113TR
Infineon Technologies
IRLR8113TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR8256PBF
Infineon Technologies
IRLR8259PBF
Infineon Technologies
IRLR8259TRPBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel