casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TJ20S04M3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
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Numero di parte futuro | FT-TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.2 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +10V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TJ20S04M3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8103TR
Infineon Technologies
IRLR8103VPBF
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IRLR8103VTRL
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IRLR8103VTRLPBF
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IRLR8103VTRPBF
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IRLR8113
Infineon Technologies
IRLR8113PBF
Infineon Technologies
IRLR8113TR
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel