casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TJ40S04M3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TJ40S04M3L(T6L1,NQ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TJ40S04M3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +10V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4140pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TJ40S04M3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8103VTRL
Infineon Technologies
IRLR8103VTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8103VTRPBF
Infineon Technologies
IRLR8103VTRR
Infineon Technologies
IRLR8103VTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR8113
Infineon Technologies
IRLR8113PBF
Infineon Technologies
IRLR8113TR
Infineon Technologies
IRLR8113TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRPBF
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel