casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI530GPBF
codice articolo del costruttore | IRFI530GPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFI530GPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI530GPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI530GPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI530GPBF-FT |
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation