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ON Semiconductor SSR1N60BTM_F080

Name: SSR1N60BTM_F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: SSR1N60BTM_F080
Availability: InStock
Rating: 4.7 (125 reviews)

Numero parte MFG: SSR1N60BTM_F080

quantità disponibile: 90310 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSR1N60BTM_F080.pdf

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SSR1N60BTM_F080 specificazioni

codice articolo del costruttore	SSR1N60BTM_F080
Numero di parte futuro	FT-SSR1N60BTM_F080
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SSR1N60BTM_F080 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSR1N60BTM_F080 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSR1N60BTM_F080-FT

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