casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI25N06S3L-22
codice articolo del costruttore | IPI25N06S3L-22 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI25N06S3L-22 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI25N06S3L-22 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.6 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI25N06S3L-22 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI25N06S3L-22-FT |
SPW52N50C3FKSA1
Infineon Technologies
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB013NE2LXIXUMA1
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BSB014N04LX3GXUMA1
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BSB028N06NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB008NE2LXXUMA1
Infineon Technologies
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB012NE2LX
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel