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Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

Numero parte MFG
BSB012N03LX3 G
quantità disponibile
25250 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSB012N03LX3 G specificazioni

codice articolo del costruttore BSB012N03LX3 G
Numero di parte futuro FT-BSB012N03LX3 G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSB012N03LX3 G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Ta), 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 169nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16900pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso 3-WDSON
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012N03LX3 G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSB012N03LX3 G-FT

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