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Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

Name: BSB012N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012N03LX3 G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (336 reviews)

Numero parte MFG: BSB012N03LX3 G

quantità disponibile: 25250 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSB012N03LX3 G.pdf

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BSB012N03LX3 G specificazioni

codice articolo del costruttore	BSB012N03LX3 G
Numero di parte futuro	FT-BSB012N03LX3 G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB012N03LX3 G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A (Ta), 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	169nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012N03LX3 G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSB012N03LX3 G-FT

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