casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPW52N50C3FKSA1
codice articolo del costruttore | SPW52N50C3FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPW52N50C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPW52N50C3FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW52N50C3FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPW52N50C3FKSA1-FT |
IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation