casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSB008NE2LXXUMA1
codice articolo del costruttore | BSB008NE2LXXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSB008NE2LXXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB008NE2LXXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Ta), 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 343nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB008NE2LXXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSB008NE2LXXUMA1-FT |
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
AUIRF7734M2TR
Infineon Technologies
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation