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Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

Name: BSB056N10NN3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB056N10NN3GXUMA1
Price: 1.248952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (443 reviews)

Numero parte MFG: BSB056N10NN3GXUMA1

quantità disponibile: 12310 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.248952

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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BSB056N10NN3GXUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSB056N10NN3GXUMA1
Numero di parte futuro	FT-BSB056N10NN3GXUMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSB056N10NN3GXUMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 83A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB056N10NN3GXUMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSB056N10NN3GXUMA1-FT

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