casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS244ZNKSA1
codice articolo del costruttore | BTS244ZNKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BTS244ZNKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS244ZNKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-5-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-5 Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS244ZNKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS244ZNKSA1-FT |
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
AUIRF7734M2TR
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel