casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSB014N04LX3GXUMA1
codice articolo del costruttore | BSB014N04LX3GXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSB014N04LX3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB014N04LX3GXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB014N04LX3GXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSB014N04LX3GXUMA1-FT |
IPT60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
AUIRF7675M2TR
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AUIRF7734M2TR
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IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CFD7XKSA1
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IPW60R040CFD7XKSA1
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IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXMA3K3F40C2N
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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