casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / DMC202010R
codice articolo del costruttore | DMC202010R |
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Numero di parte futuro | FT-DMC202010R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMC202010R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC202010R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMC202010R-FT |
QS6Z5TR
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QST9TR
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QSX7TR
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XC2V8000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3N
Intel
10M16DCF484C8G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
10M04DCF256A7G
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation