codice articolo del costruttore | QSX8TR |
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Numero di parte futuro | FT-QSX8TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QSX8TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | 320MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSX8TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QSX8TR-FT |
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K30ETC144-1N
Intel
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256A7G
Intel
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation