codice articolo del costruttore | QSX7TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-QSX7TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QSX7TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSX7TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QSX7TR-FT |
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXMA5K2F40C3N
Intel
5SGSMD4E1H29C2L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EQC240-1
Intel