codice articolo del costruttore | QSX7TR |
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Numero di parte futuro | FT-QSX7TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QSX7TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSX7TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QSX7TR-FT |
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4003E-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP20K400EFI672-XES
Intel
EP2AGZ300FH29I4N
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX115S3F45I2LG
Intel
EP20K1000EBC652-2
Intel