codice articolo del costruttore | QS6Z5TR |
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Numero di parte futuro | FT-QS6Z5TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QS6Z5TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | 360MHz, 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6Z5TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QS6Z5TR-FT |
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
APA1000-FG896M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FGG484
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2
Intel
5SGSED8N2F45I2
Intel
EP3SE80F1152C4LN
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation