casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFSL8405
codice articolo del costruttore | AUIRFSL8405 |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFSL8405 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFSL8405 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5193pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 163W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFSL8405 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFSL8405-FT |
SPD01N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD02N50C3
Infineon Technologies
SPD02N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD02N60S5BTMA1
Infineon Technologies
SPD02N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD03N50C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD03N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD03N60S5BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N50C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N50C3T
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel